Recente - PC Magazine Romania, Martie 2004

Prima memorie NOR flash

Intel a lansat recent primul dispozitiv de memorie NOR flash construit pe o tehnologie de 90 nanometri (nm).

IntelWireless Flash Memory este a cincea generaţie de tehnologie pentru memorii flash a companiei şi va reţine caracteristicile de înaltă performanţă ale tehnologiei necesare pentru producătorii de dispozitive handset wireless. În cadrul prezentării realizate la Intel Developer Forum, vicepreşedintele executiv al Intel, Sean Maloney, a explicat că Intel Wireless Flash Memory, construit pe o tehnologie de 90 nanometri (1 nanometru este a miliarda parte dintr-un metru) foloseste o matriţă cu dimensiuni de 50% mai mici în comparaţie cu generaţia anterioară, ceea ce va diminua costurile şi va dubla capabilităţile de producţie ale Intel. Primul produs flash memory va fi un dispozitiv single-bit-per-cell.

Alte dispozitive care vor fi disponibile ulterior în cursul acestui an se vor baza pe tehnologia multi-level cell (MLC) de la Intel, care reţine de două ori mai multă informaţie într-o singură celulă. Intel Wireless Flash Memory construit pe o tehnologie de 90 nm va fi disponibil în aprilie cu densităţi de 64Mb, ca mostră. Producţia de masă se estimează că va începe în al treilea trimestru al acestui an.