In direct - PC Magazine Romania, August 2002

Cipul de memorie universală MRAM de 1 Mbit

Sectorul de Semiconductori al companiei Motorola (SPS) în colaborare cu Laboratoarele Motorola au prezentat în luna iunie la Simpozionul VLSI 2002 de Tehnologie şi Circuite desfăşurat în Honolulu, primul cip de memorie universală MRAM de 1 Mbit.

"MRAM are poteţialul de a ajunge memoria universală pentru majoritatea aplicaţiilor digitale cum ar fi telefoane celulare, echipamente mobile, laptop-uri, computere şi chiar automobile", declară Saied Tehrani, Director al Tehnologiei MRAM din cadrul SPS. "Ca lideri în dezvoltarea acestei tehnologii, ne aflăm foarte aproape de atingerea obiectivelor noastre de a experimenta tehnologia MRAM în anul 2003 şi de a o produce în 2004".

Acest cip de memorie poate schimba semnificativ modul în care consumatorii folosesc echipamentele electronice. Probleme, cum ar fi pornirea lentă a computerelor şi a telefoanelor celulare, pierderea datelor, timpul lung de aşteptare pentru încărcarea datelor şi durata scurtă de viaţă a bateriilor, pot fi eliminate cu ajutorul cipurilor MRAM. De exemplu, computerele din ziua de azi trebuie să îşi reîncarce informaţia în memoria locală, de pe discul hard la deschidere. Cipul MRAM este proiectat pentru a permite programelor şi datelor să rămână în memoria locală, chiar şi în lipsa alimentării. În mod similar, MRAM poate înlătura întârzierea ce apare la închiderea şi deschiderea telefoanelor celulare.

Tehnologia MRAM permite, de asemenea, integrarea opţiunilor de memorie multiplă într-un singur cip, astfel încât viitoarele produse pot avea dimensiuni mai mici şi funcţii pe bază de memorie la un cost mai eficient.

Beneficiile tehnologiei MRAM pot fi extinse şi în industria auto. Tehnologia MRAM ajută la satisfacerea necesităţilor maşinilor inteligente ale viitorului care solicită memorie non-volatilă şi eficientă sub raportul costului, capabilă să opereze la viteze ridicate cu numere mari de cicluri de citire şi scriere.

Memoria prezentată de Motorola în cadrul simpozionului este o memorie MRAM de 1 Mb, bazată pe o celulă de memorie definită de un singur tranzistor (1T) şi o singură Joncţiune Magnetică de Tunel (MTJ) cu cicluri de citire şi scriere de mai puţin de 50 ns. Aceasta este cea mai mare demonstraţie MRAM de până acum şi prima care va fi integrată CMOS folosind tehnologie de cupru de interconectare. Designul 64 k x 16 al memoriei se bazează pe procesul CMOS de 0,6 microni şi a fost realizat pe o suprafaţă de 200 mm2 folosind interconexiuni din cupru. O structură nouă din cadru magnetic a fost folosită pe liniile de conexiune de cupru pentru a reduce puterea necesară programării biţilor cu un factor patru. Această structură oferă performanţă înaltă, consum mic şi memorie competitivă. - EAL

Detalii la: www.motorola.com